收藏本站
DMN3010LSS
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 88°C/W
D = 0.02
0.01
P(pk)
t 1
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 8 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMN3010LSS-13
Case
SOP-8L
Packaging
2500/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Top View
8
5
Logo
N3010LS
Part no.
YY WW
Xth week: 01~52
Year : "07" =2007
1
4
"08" =2008
Package Outline Dimensions
SOP-8L
Dim
A
A1
Min
-
0.08
Max
1.75
0.25
E1 E
A1
DETAIL    A
L
GAUGE PLANE
SEATING PLANE
A2
A3
b
D
E
1.30 1.50
0.20 Typ.
0.3 0.5
4.80 5.30
5.79
6.20
E1
3.70
4.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
DETAIL A
e
h
L
θ
1.27 Typ.
- 0.35
0.38 1.27
0 ° 8 °
All Dimensions in mm
e
D
b
DMN3010LSS
Document number: DS31259 Rev. 6 - 2
4 of 5
www.diodes.com
November 2008
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN3018SSS-13 MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8
DMN3024LK3-13 MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
DMN3024LSD-13 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
DMN3024LSS-13 MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8
DMN3024SFG-7 MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
DMN3029LFG-7 MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
DMN3030LSS-13 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
DMN3031LSS-13 MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
相关代理商/技术参数
DMN3018SSD-13 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3018SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3020LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3020LK3-13 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3024LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V TO252 (DPAK) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3024LK3-13 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3024LSD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3024LSD-13 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube